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三星电子在全球率先量产采用3D硅通孔(Through Silicon Via•TSV)技术的内存芯片（DRAM，见图）。现有的DRAM在收发内部信息时利用细细的金线。信息沿硅片上绘制的微型电路来回移动。但最近，随着半导体集成度的不断提高，出现了线路过长导致效率下降的问题。而此次投入量产的3D硅通孔内存芯片是将多个薄硅片摞在一起，打穿数百个小孔来代替电路，通过小孔传递信息。简而言之，就是原来沿长线移动的信息现在开始“坐电梯”快速、高效地向目标移动。三星电子表示，采用3D硅通孔技术的内存芯片数据处理速度高达现有产品的两倍，而耗电量仅为二分之一。

三星电子采用3D硅通孔技术投入量产的产品是64GB新一代服务器内存(DDR4•Double Data Rate 4)。该产品是4张硅片摞在一起。三星电子存储芯片市场营销部常务白智淏表示：“今后还可以将更多硅片摞在一起，量产容量更大的3D硅通孔内存芯片。”