朝鲜日报 中文网

韩国三星电子21日宣布，完成了全球首款第三代10纳米级DRAM半导体的研发。距离第二代DRAM研发成功相隔16个月，三星又推出了新一代产品。1纳米（10亿分之1米）仅为发丝直径的10万分之1。

据三星电子21日称，第三代DRAM新产品较上一代产品进一步缩小了线幅制作而成。三星电子三年前首次开始生产电路线幅降至10纳米级别的DRAM。并将该产品指定为第一代，随后接连推出了线幅逐渐缩小的第二代和第三代产品。这次推出的第三代产品较第一代线幅缩小了10%以上。但三星并未公布第三次DRAM准确的线幅数值。据悉，新产品将于下半年正式量产并出售。

半导体存储器业界认为，勾画电路的线幅越小，技术水平就越高。线幅越小，一张晶圆可生产的DRAM数量就越多，半导体的耗电量也会随之下降。相当于用更低廉的成本生产出更加优质的产品。三星电子称，本次的新产品较上一代，生产率提高了20%，数据处理速度也有所提升。

三星电子存储器事业部副社长李政培（音）表示：“我们克服了精细工艺的极限，正在加速推进新一代半导体存储器的面世”，“今后三星将持续扩大对顶级DRAM产品线的投资，引领未来技术。”