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三星电子正在推进的，在中国建设下一代NAND闪存芯片生产线的计划获得了韩国政府的批准。
NAND闪存芯片是用于智能手机、平板电脑等移动IT产品信息储存装置的半导体。
韩国知识经济部4日表示，对上月三星电子为在中国建设芯片工厂提出的国家核心技术（10纳米级NAND闪存）出口申报，予以批准。
其间，知识经济部两次召开保护产业技术专门委员会，就三星电子进入中国的必要性和国家核心技术泄露的可能性等进行了综合研讨。
三星电子计划经选定厂址和在中国获批等程序后，今年上半年投入施工，明年下半年启动新生产线。
三星电子若在中国建成闪存生产线，将成为中国首家闪存生产厂家，也是继在美国得克萨斯州奥斯丁建设的芯片厂之后，三星电子在海外建设的第二家芯片厂。
全球NAND闪存市场规模去年为248亿美元，估计年均增长11%，到2015年将达到354亿美元。
尤其是，中国市场所占的比重将从48%提高到55%。
三星电子计划把国产装备在新生产线建设中的利用率保持在目前的水平，并扩大对平泽园区非存储芯片领域的投资，以防因在中国建设芯片厂导致国内相关产业萎缩。