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三星电子本月12日在中国西安开工建设新一代存储芯片工厂后，业界指责称：“过去其他企业进军中国时还反对说‘担心技术外泄’，这不是前后矛盾吗？”2004年海力士半导体在中国无锡建设芯片工厂时，三星电子经营班子曾反对称：“虽然很多产业和工厂进驻中国，但唯独芯片领域不能向中国转让技术。
”就是说，如果在拥有庞大的华侨资本和丰富的人力资源的中国建设芯片工厂，高科技术流入中国企业的可能性很大。
当时，海力士为了在芯片领域生存下去，迫切需要吸引中国资本并在当地建设工厂。
但由于三星电子提出问题后引发技术外泄争议，导致海力士在建设工厂时经历了重重困难。
8年后，三星电子却在中国西部陕西省西安开工建设10纳米级新一代NAND 闪存芯片工厂。
总投资规模达70亿美元。
三星电子方面预测，工厂全面启动，可以雇佣2000名左右人力。
如果包括合作企业，就业效果达到1.3万人左右。
经济界一位相关人士表示：“强调创造就业岗位的李明博政府为何会允许韩国招牌企业三星电子冒着技术外泄的危险，在中国进行如此大规模的投资项目，感到很好奇。
”就技术外泄的担忧，三星方面表示：“在中国工厂将采用和韩国最新工艺有时差的工艺，因此不要担忧。
”但芯片业界却认为，工艺越新就越能节约成本，因此韩国和中国工厂的工艺时差不会太大，与三星的主张不同。
一位业内人士表示：“这让我想起了一句话，‘只许州官放火，不许百姓点灯’。
”