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三星电子在全球存储芯片业界首次利用25纳米工艺批量生产DRAM。
三星电子6日在首尔新罗酒店以各企业相关人员为对象举行“2012年三星存储芯片处理CIO研讨会”。
三星电子表示，10月成功利用25纳米工艺批量生产了市场主力产品4Gb DDR3 DRAM。
纳米工艺是芯片生产过程中使用的高新微精工艺，数字越小，芯片生产率就越高或芯片性能越好。
其间三星电子主要利用30至40纳米级工艺生产DRAM。
公司方面表示，计划明年大力增加被命名为“第四代绿色存储芯片”的25纳米工艺存储芯片生产量。
三星电子表示，使用第四代绿色存储芯片，比目前在市场销售的40纳米级DRAM或HDD基础系统，处理速度高6倍以上，电力可节省20至60%。
三星电子计划明年把第四代绿色存储芯片作为主力产品进行生产。
业界预测，存储芯片市场今年触底，明年将重新回升。
市场调查企业高德纳咨询公司(Gartner)预测，今年世界DRAM市场规模比去年减少了4%，而明年将比今年增长9%以上。
该公司又说，明年世界nand闪存市场有望增长23.1%。
目前三星电子在世界DRAM市场占有率为39.4%，排名首位，nand闪存市场占有率为42.5%，也是首位。