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SK海力士10日表示，采用20纳米级技术，成功研发出全球领先的8Gb移动DRAM（LPDDR3•Low Power Double Data Rate 3）。
移动DRAM是应用于智能手机等便携式电子产品的内存芯片，耗电量远低于普通芯片。
IT电子产品使用的成品封装内存卡包含多个内存芯片。
从目前的技术来说，一个内存卡能够封装4颗内存芯片。
SK海力士介绍说，将此次研发的8Gb移动DRAM封装为4芯片内存卡后，容量也将是4Gb DRAM（目前最大容量）芯片内存卡的2倍。
SK海力士相关人士说：“如果是制造同容量的内存卡，所需的8Gb芯片数量会少于4Gb芯片，所以内存卡可以做到更薄。
这有助于生产更小更薄的移动终端机。
”