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三星电子6日表示，全球最先研发出3D堆叠式结构的NAND闪存芯片（见图），已经开始量产。
内存芯片应用于手机、平板电脑等产品，可存储照片、音乐文件等。
内存芯片的内部有数亿个栅，栅的数量越多存储容量越大。
3D堆叠垂直式结构是将栅一层层地排列的，这打破了一直以来的横向排列方式的极限，通过3D垂直堆叠方式提高了密度。
有评价认为，缩小横向排列时栅间间隔的技术已接近极限，因此3D垂直堆叠方式开创了“3D闪存芯片量产新纪元”。
从常识上看，很容易想到通过垂直堆叠提高密度，但是之前从未有一家公司成功研发出这一技术。
三星电子表示，与既有的20纳米级半导体相比（栅间间隔为20纳米），该产品的密度提高了1倍左右。
写入速度提升1倍以上，耗电量缩小一半。
三星电子在过去十年研究"3D垂直堆叠型结构NAND闪存(V-NAND)技术"的过程中，研发了300余项核心专利，并已在韩国，美国和日本等世界各国提出了专利申请。
三星电子内存事业部专务崔定赫说：“今后会进一步提高密度，推出性能更高的产品。
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