前一天,美国商务部长吉娜·雷蒙多在白宫出入记者团新闻发布会上表示:“美国为引进尖端芯片设施并(通过此举)加强国家安全,决定向TSMC支援66亿美元”,“TSMC将在美国本土生产最尖端的芯片。”她还表示:“随着TSMC(在美生产)的扩张,美国的客户有望采购到AI(人工智能)、数据中心、军事技术等必需的‘美国产’尖端芯片。”美国商务部表示,除直接补贴以外,还将向TSMC提供50亿美元(约合6万8000亿韩元)的低息贷款。也就是说,总支援规模为116亿美元。
美国支援TSMC的依据是乔·拜登政府于2022年出台的《芯片与科学法案》。该法案规定,向企业提供芯片领域补贴和研发(R&D)费用等,共计527亿美元。目的是在支援美国芯片企业的同时,以大规模补贴将集中在韩国、台湾等的芯片生产设施吸引到美国。
目前,TSMC正投资400亿美元在亚利桑那州建设两家芯片厂。白宫当天表示,TSMC决定追加投资250亿美元,在十年内建设第三家工厂。此外,TSMC还决定自2028年起,在美国本土生产最尖端的2纳米(10亿分之1米)工艺芯片。工艺越精密越能制造出电力效率高的高性能芯片,目前实现量产的最先进芯片是3纳米产品。据芯片业有关人士称:“之前TSMC一直在台湾投产最尖端工艺,在海外生产成熟制程芯片”,“决定往美国本土引进最尖端设施实属罕见。”美国政界分析认为,考虑到美中矛盾升级和中国对台威胁增加导致的“供应链不稳定”,台湾政府有意将部分生产基地转移到主要支援国美国。
3月,美国政府公布了向本国企业英特尔提供195亿美元破格芯片补贴的计划。补贴金额是TSMC的三倍。英特尔计划以补贴为跳板于年底量产1.8纳米工艺芯片,2027年实现1.4纳米工艺的量产。英特尔作为美国唯一有能力在2纳米以下芯片制造工艺上同TSMC、三星电子等竞争的企业,政府把补贴都“押注”在了英特尔上。
分析认为,拜登政府决定向TSMC等海外企业支付大规模补贴的背景是意图将领跑高性能芯片领域的海外企业吸引到美国,从而在尽可能短的时间内缩小“技术差距”。当天,拜登发表声明称:“芯片本就是美国发明的”,“但随着时间的推移,曾经占全球产量40%的美国产量却缩水至10%,还生产不出最尖端芯片,暴露出了经济和国家安全的极大软肋。”他还表示:“(通过TSMC建厂)将为实现2030年生产全球20%尖端芯片的目标奠定基础。”