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据推测，随着美国对华半导体产业的制裁力度进一步升级，三星电子、SK海力士将不可避免地下调在华生产据点——西安工厂和无锡工厂的产能。尤其在拥有全球最大半导体设备公司的日本、荷兰政府决定参与美国对华制裁的情况下，三星电子、SK海力士中国工厂的工艺升级也将出现差池。为了保证生产效率，两家公司面临不得不减少晶圆（半导体原板）投入量的境地。

7日，据半导体业界称，从今年第一季度开始到年底，SK海力士决定将最大的DRAM生产据点之一的中国无锡工厂晶圆投入量定在每月少于16万张。该数值相较于去年减少了约10%。有观测认为，随着日本、荷兰决定参与美国的对华制裁，获取装备变得更加困难，投入量可能进一步减少。

三星电子在中国西安工厂的NAND闪存生产也亮起了红灯。有分析认为，随着生产NAND闪存的Mother Fab（优先启用最新工艺的工厂）——平泽工厂和西安工厂技术差距不断拉大，西安工厂的运营效率相对而言正在降低。换言之，在Mother Fab最先投入使用的200层以上最尖端3D NAND技术和工艺难以传授给西安工厂。这意味着中国工厂在技术上被孤立。

此前，三星电子虽在去年第四季度经营业绩电话会议上称，不会人为减产，但随着中国半导体工厂工艺升级受阻，预计将出现自然减产的效果。业界人士解释称：“NAND价格从去年到今年一直呈走低趋势，在生产效率竞争中，凭借西安工厂的100层3D NAND势必会落后于SK海力士、镁光等公司”，“三星应该会制定战略降低西安工厂的比重。”

两家公司有关人士也承认，随着荷兰和日本的半导体核心设备对华出口受阻，三星电子、SK海力士想在中国进行增设投资或升级设备实际上是不可能的。三星有关人士称：“目前西安工厂处于正常运营的状态”，“但出于地缘政治原因，关于投入新设备或引入新工艺的问题则需要进一步讨论。”

三星人士提及的地缘政治问题是指，可以将两家公司对华工厂设备投资与政治问题联系起来。韩国政府目前已经加入包括印度在内的，带有对华联合性质的印太经济框架（IPEF）。如果三星电子、SK海力士强行在华进行新的设备投资，在美国通过承诺进行半导体投资而拿到的补贴可能就此告吹。

此前，三星电子在电话会议上表示，正在推进加强生产线的维护保修，重新部署设备，以及增加设备投资中的研发（R&D）占比。业界称，这气氛实际上就是要减产。据一位精通三星的有关人士称：“从客户的角度而言，人为减产意味着上调供货单价，因此不能公开说。”

去年10月，美国政府表示将阻止中国将尖端半导体应用于军事，并严管向生产18纳米（1纳米是10亿分之1米）以下DRAM，128层以上NAND闪存和14纳米以下逻辑芯片的中国企业出口半导体设备，并要求拥有全球五大半导体设备企业的日本和荷兰共同参与制裁。

由此，荷兰半导体设备公司ASML继禁止出口最尖端极紫外（EUV）光刻设备之后，还将限制深紫外（DUV）光刻设备的出口。以2021年为准，在全球半导体设备市场上，ASML占有率仅次于美国应用材料（AMAT）位列第二。日本最大的半导体设备企业东京电子位列第三。