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对华为最新智能手机“Mate 80 Pro Max”中搭载的麒麟9030芯片进行拆解后分析发现，生产该芯片的中国最大晶圆代工（半导体委托生产）企业中芯国际（SMIC）成功实现了比英特尔最新芯片更窄的布线间距。但分析认为，与英特尔、台积电（TSMC）、三星电子相比，尽管在数值测量结果上有所突破，但在实际性能、生产成本等方面仍存在4-5年的差距。

17日，美国半导体分析公司SemiAnalysis对华为最新智能手机“Mate 80 Pro Max”搭载的麒麟9030芯片进行了拆解分析，结果显示，中芯国际（SMIC）的“N+3”工艺金属布线间距测量为32.5纳米（nm），比英特尔在最新PC中央处理器（CPU）“黑豹湖”中采用的18A工艺（36nm）窄约10%。这一数据一经公布，网上出现了“中国超越英特尔”的主张。

只是布线间距窄……作为核心指标的集成度只达到了一半的水平

专家们一致认为，仅凭一个布线间距就断定工艺水平是不合理的。在比较半导体工艺水平时，更受信赖的指标是每平方毫米（㎟，约为指甲截面的几十分之一大小）面积内能放入的晶体管数量。晶体管是负责开启和关闭电信号以处理运算的半导体基本单位，相同面积内能放入更多晶体管，芯片的性能和能效就越高。

按照这一标准，中芯国际N+3的集成度约为每平方毫米1亿2500万个（估算值），与台积电的6纳米（N6）工艺相似。尽管该工艺名为“N+3”，中芯国际也介绍其为5纳米级产品，但实际的集成度接近6纳米。市场研究机构TechInsights分析师拉杰什·克里舒那穆尔蒂说：“N+3是之前7纳米工艺的扩展版，比台积电和三星的5纳米工艺落后很多。”

与全球最尖端工艺相比，其差距就更大了。台积电的3纳米改进版（N3P）每平方毫米有2亿2400万个晶体管，三星电子的3纳米（SF3）有1亿9000万个，英特尔18A有2亿3800万个。台积电今年投入量产的2纳米（N2）有3亿1300万个，高出中芯国际N+3集成度2.5倍。

产生这种差异的最大原因是生产设备的不同。台积电、三星和英特尔使用的是在晶圆（半导体基板）上精密雕刻电路的EUV（极紫外光）设备。而中芯国际由于美国的出口管制无法购买该设备，必须使用老式的DUV（深紫外光）设备来达到同样的效果。因此，不得不采用需要重复刻蚀5-6次相同电路的“多重图案化”技术，导致工艺时间延长，每片晶圆的生产成本大幅上升。

在芯片性能方面，与苹果、联发科等相差4-5年

采用中芯国际最新工艺生产的“麒麟9030”，与前一代产品相比，CPU内核数增加至12-14个，GPU（图形处理器）性能最高提升了79%，取得了具有意义的进展。在智能手机芯片中，首次搭载了硬件加速光线追踪（通过计算光源的反射和折射来实现逼真图像的技术）。但这一数据是以华为自身发布的标准，需要进行独立验证。

该产品与全球领先水平的差距仍然很大。SemiAnalysis的分析显示，麒麟9030最高性能CPU内核的绝对性能比苹果2020年推出的M1芯片内核低57%。而GPU性能分析显示，比高通和联发科的最新旗舰芯片落后2.4-3.2倍。SemiAnalysis评价麒麟9030的综合性能水平与2021-2022年推出的旗舰芯片相当。

半导体行业相关人士表示：“虽然在制造工艺和芯片性能上还存在差距，但中芯国际（SMIC）在面临美国政府设备制裁的情况下，仍正在将老型号设备的性能发挥到极限。虽然有些夸张，但中国代工技术的竞争力正在迅速提升，这一点值得警惕。”