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英伟达首席执行官黄仁勋在年度开发者大会“GTC 2026”的主题演讲中特别提到三星电子，对其表示感谢，还强调了两家公司的合作。特别是在英伟达的语言处理单元（LPU）“Groq 3”芯片制造方面，他指出三星电子是英伟达的主要合作伙伴。

当地时间16日，黄仁勋在美国加利福尼亚州圣何塞的SAP中心进行的主题演讲中，介绍了推理用芯片，他说：“三星正在为我们制造Groq3 LPU芯片。目前正在尽可能加快生产。非常感谢三星。”

他介绍称该芯片将搭载在英伟达新一代AI芯片“Vera Rubin”系统上，表示“在今年下半年，大概在第三季度开始出货”。Grok3 LPU是与英伟达的“Rubin”图形处理器（GPU）分配角色、提高推理性能和效率的芯片，在黄仁勋这次的发言中，可以确认三星电子的代工业务部门（半导体委托生产）正在生产该芯片。

三星电子当天也在GTC活动现场设立了展厅，首次向公众展示了新一代HBM“HBM4E”的实物芯片和堆叠芯片“Core Die”晶圆，积极宣传了与英伟达在内存领域的合作。

以今年下半年提供样品为目标的HBM4E，计划支持每引脚16Gbps（每秒千兆位）的传输速度和4.0TB/s（每秒太字节）的带宽。这超过了上个月开始量产出货的最新第6代HBM4的13Gbps的传输速度和3.3TB/s的带宽。

三星电子计划通过量产HBM4所积累的基于1c（10纳米级第6代）DRAM工艺的技术竞争力，以及三星代工的4纳米基础裸片（HBM最底部搭载的核心部件）设计能力，来加速HBM4E的开发。

三星电子在HBM4批量出货后不久公开了HBM4E，此举旨在凸显其与SK海力士、美光等其他竞争对手的差距。在本次GTC上，三星电子是主要内存供货商中唯一一家正式推出新一代HBM4E的企业。

特别是三星电子在本次展览上通过“HBM4 Hero Wall”展示了这种竞争力是综合半导体企业（IDM）独有的优势。三星电子还通过视频公开了混合铜键合（HCB）封装技术，该技术与通过热量和压力堆叠芯片的热压键合（TCB）相比，热阻降低了20%，还支持16层以上的堆叠。