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在全球存储芯片行业居第一、第二位的三星电子和SK海力士都在21日公布了应用了超微工艺和大容量技术的新产品。

三星电子表示，我公司在世界上最先开始量产以20纳米（1纳米等于十亿分之一米）工艺生产的用于服务器的DRAM（DDR4 8Gb，见图）。通常，芯片回路的线幅越窄，同样面积的电路板上就能放入更多的芯片，从而提高了效率。此次投入量产的用于服务器的DRAM与现有的“DDR3”规格产品相比，数据传输速度快30%左右，但是启动时需要的电压低20%左右。性能提高，电力消耗减少，可谓实现了“一箭双雕”。

20纳米工艺是目前DRAM生产工艺中最精密的水平，只有三星电子成功实现了量产。此前，三星电子分别从今年3月和9月开始用20纳米工艺量产用于个人电脑的DRAM和移动DRAM。三星电子通过量产用于服务器的DRAM，构建了用于智能手机、个人电脑和服务器等所有种类机器的20纳米DRAM量产体制。

KS海力士公布，我公司开发出了闪存和DRAM相结合的16GB容量的“非易失性内存（NVDIMM）”。虽然DRAM读写数据的速度很快，但是一旦断电数据就会丢失。而闪存的数据输入输出速度虽然比DRAM慢，但是即使断电也能保存数据。SK海力士开发的NVDIMM将两者结合，使在断电的瞬间可以将DRAM的数据传输到闪存中，安全保存数据。SK海力士介绍说，虽然以前也有同样的产品，但是容量达到16GB尚属首次。

SK 海力士将把大数据处理企业当作该产品的主要客户。因为需要快速且稳定地处理大量数据，DRAM的快速传输速度和闪存的稳定性全都具备的NVDIMM无疑是最佳选择。SK海力士计划从明年上年开始量产该产品。