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韩国蔚山科学技术学大能源•化学工学部教授白钟范 （图片）8日表示：“合成氮和碳，开发出比硅功能强100倍的新材料。”

目前用于半导体制造的硅在狭窄的空间里制造多条电路，因过热而出故障或遭到损失。虽然三星电子上月开发了电路线的幅度10纳米（1纳米=10亿分之1米）的硅半导体技术，但学术界认为5纳米达到上限。

很多人表示，替代硅半导体的物质将是石墨的单原子层“石墨烯（Graphene）”。石墨烯之所以被称为“革命性的新材料”是因为导热性能好且没有电气的抵抗。但仅由导电的氮原子构成，难以制造电路。

白钟范研究小组制造了将碳和氮以化学方式合成，在石墨烯内制造了不导电的空间。即仅使用导电的部分制造出电路。该新材料达电和不达电时的信号传达比率（闪烁比率）为1000万倍。到目前为止，性能最好的硅半导体的闪烁比率为10万倍。闪烁比率越高，信号传达越正确，被评价为最优质的半导体。

此外，新材料与不耐热的半导体不同，温度在600摄氏度以上时也稳定运转。该研究结果刊登在国际学术杂志《Nature Communications》6日版上。