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29日，世界最大的半导体企业应特尔透露，决定与镁光携手开发生产比现有Nand Flash快1000倍以上的储存器半导体。镁光是继三星电子、SKHYNIX之后的世界第三大储存器半导体公司。

两公司当日联合举行记者招待会，亮相了名为“3D XPoint”的新一代半导体。该半导体为非挥发性半导体，就算电源被切断，储存的内容也会被好好保存，这与三星电子的主打产品--Nand Flash功能类似。

但是该产品具有比Nand Flash数据处理速度更快的D RAM的优点，因此速度和寿命都得以大幅提高。两公司通过报道资料指出：“将成为储存卡技术的新突破口”。

由两公司联合设立、位于美国犹他州的工厂正在研究开发3D Xpoint半导体，预计今年底将向部分用户公司提供试验供应。镁光的CEO Mark Adams表示：“大约明年可进行量化生产”。

三星电子、SKHYNIX正在奋力开发抵抗性RAM（ReRAM）和自我抵抗性RAM（M RAM）等新一代储存卡产品。三星电子2011年收购了拥有M RAM源泉专利的美国半导体公司Grandis，SKHYNIX与美国IBM、日本东芝等合作研发新一代半导体。

业界人士表示：“就算应特尔和镁光马上可以量化生产，也不会改变市场”，“要等到新一代半导体大举面世的2018年才能决定哪个产品将成为主打产品。”

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