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三星电子11日宣布，在垂直结构Nand-flash存储半导体领域，三星率先成功实现了256GB容量产品的批量生产。Nand-flash是在电源关闭时，数据也不会丢失的存储器，三星此番将数据存储容量扩大至之前产品的一倍。

过去，在平面的电子回路基板上密集排列部件被认为是最高水平的技术。然而，这种技术在缩短物理距离方面暴露出了局限性。2013年，三星为替代平面线路板，开发出了垂直层叠的电子回路“V（vertical：垂直） Nand”半导体。最初批量生产时，垂直结构为24层，去年增加到32层，这次增加到48层。就像盖公寓楼时通过增加层数来增加住户数量一样，实现了存储空间的扩大。

现在，三星电子是业内唯一批量生产垂直结构Nand-flash的制造商。制造这种半导体的工程非常严格。首先要用半导体原材料制作出48层的积层结构，再钻出约18亿个垂直的微型孔。

在其中填充体现半导体特性的物质，来制造出共853亿个以上的数据存储空间。每个空间内能存储3个数据，共能读取并使用2560亿个数据。

三星电子人士介绍说：“可以生产出和之前最大容量的128Gb智能手机辅助存储器一样大的256Gb产品。”“耗电量也减少了30%。”

三星电子计划提前普及使用Nand-flash的大容量存储装置SSD（固态硬盘）。三星电子的销售占有率达到34%，高出去年世界SSD市场上排名第二的英特尔（17%）的一倍，在业界独占鳌头。

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