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7日，SK海力士公司宣布成功研发出了目前业界最高层数的176层NAND闪存。SK海力士是继美国半导体企业美光之后，第二家开发出176层NAND闪存的企业。NAND闪存是在断电情况下仍可以储存信息的半导体存储器。主要应用于智能手机、笔记本电脑和USB等。

SK海力士此次研发的176层NAND闪存产品（图）将由数据存储单元构成的层在厚度约1毫米的芯片内垂直堆积了176层。该产品的生产效率较上一代产品提高了35%，数据读取速度提高了20%，数据传送速度改善了33%。SK海力士计划明年中旬推出搭载176层NAND闪存的消费者用、企业用SSD（大容量储存装置）。

随着SK海力士成功研发出176层NAND闪存，半导体业界的积层（层层堆积）竞争也日趋激烈。积层技术是像盖高楼一样，通过垂直堆积电路来增加数据储存容量的技术。为了提高NAND闪存的竞争力就必须拥有高水平的积层技术。缩短线路宽度的微细工艺的关键是在有限的空间里安装更多的半导体元件，但存在物理上的局限性。与之相反，积层技术是垂直堆积半导体单元而非水平，因此能够克服半导体性能的局限性。

上月，美光宣布赶超韩国三星电子和SK海力士，在全球率先实现176层NAND闪存的量产。三星电子和SK海力士目前正在生产和供应128层NAND闪存。IT企业的一位高管表示：“SK海力士此次研发的176层NAND闪存在品质方面可能领先于美光。”

在全球NAND市场排名第一的三星电子也正以明年量产为目标进行超越此前128层的“第7代V NAND”的研发。三星电子在11月30日召开的三星电子投资者论坛2020上称：“以当前的技术成功实现128层的积层，但如果采用新一代技术可以实现256层的积层。”