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- ▲ 2日,SK海力士代表理事社长郭鲁正在京畿道利川市SK海力士总部正在进行以“AI时代,SK海力士的愿景与战略”为主题的记者招待会。/ SK海力士
SK海力士2日表示,将比原计划提前在第三季度量产人工智能(AI)核心芯片“第五代高带宽存储器(HBM)”12层堆叠产品。SK海力士代表郭鲁正当天在京畿道利川总公司举行的记者会上表示:“HBM今年已经sold out(售罄),明年的大部分也已经sold out。12层堆叠产品的样品将在本月内转交至客户公司,我们正在准备第三季度的量产。”
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- ▲ 图片 = 金河景
SK海力士在存储芯片领域排名第二,凭借2022年下半年开始的“AI热潮”,SK海力士在AI存储领域排名跃升至第一。在2023年芯片不景气的情况下,海力士凭借HBM缩小了亏损的规模,去年第四季度成功扭亏为盈。今年第一季度在营业利润方面,SK海力士(2.88万亿韩元,人民币约152.64亿元)超越了三星电子(1.91万亿韩元,人民币约101.23亿元)。有评价认为,SK海力士的跃进标志性地表明,在全球芯片市场以AI为中心进行重组的情况下抢占HBM等新一代芯片的重要性。
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- ▲ 图片 = 金河景
仅从两年前的2022年第一季度来看,SK海力士的销售额(12.16万亿韩元,人民币约644.48亿元)和营业利润(2.86万亿韩元,人民币约151.58亿元)仅为同期三星电子销售额的一半和营业利润的三分之一。SK海力士表示,目前AI存储器市场的优势绝非偶然。郭鲁正2日在记者会上表示:“HBM技术并不是从天上掉下来的。SK在2012年其他公司因内存芯片不景气而减少大约10%投资时,反而增加了投资,其中”包括当时(未来)不确定的HBM。”
AI芯片的核心HBMHBM正在成为全球存储芯片的“游戏改变者”。HBM是SK海力士2013年在世界上率先开发出来的。该产品在需要高性能内存的情况下不是侧接DRAM,而是通过垂直堆叠的方式提高了空间效率。此后,随着第五代(HBM3E)的到来,层数提高到了4层、8层、12层,同时随着容量的扩大,速度也越来越快。
三星电子2015年12月比SK海力士更早推出了第二代HBM2,却在此后的速度战中落后。原因是价格昂贵,使用量少,三星电子对开发和量产态度消极。
反转发生在去年。随着聊天GPT引领的AI热潮,用于AI芯片的HBM的需求和身价也水涨船高。SK海力士负责AI基础设施的社长金柱善表示:“随着需要处理的数据量大幅增加,负责信息处理的内存成为决定AI性能的核心因素。”SK海力士于2022年6月向英伟达独家交付了全球首款量产的第四代产品HBM3。业界推算,目前在SK海力士整个销售额中HBM和高容量DRAM、NAND等AI芯片的比率达到20%以上。未来全球AI存储器市场有望进一步扩大。AI存储器在整个存储芯片领域的销售额比例将从去年的5%大幅提升至2028年的61%。
三星电子也紧跟在SK海力士身后,今年2月成功开发出业界最大容量的36GB HBM3E 12层堆叠DRAM就是其中的代表例子。与现有的8层堆叠相比,在AI学习训练中平均速度快了34%。目前英伟达正在进行质量测试,计划今年第二季度进行量产。
还在推进新工厂的计划SK海力士将于第三季度量产的第五代高带宽存储器(HBM)12层堆叠产品将进入英伟达的新一代AI加速器。有分析认为,当天郭鲁正宣布了“售罄”,表明已经与英伟达签订了合同。
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- ▲ SK海力士在忠北清州建设的M15X工厂的鸟瞰图。/SK海力士提供
SK海力士还公布了今后将成为新一代芯片生产基地的清州、龙仁、美国印第安纳州工厂的计划。SK海力士决定投资20万亿韩元(人民币约1060亿元)在清州建设的M15X工厂,计划明年11月竣工后,从2026年第三季度开始正式量产新一代DRAM。龙仁芯片集群将作为新一代存储器的开发及生产基地,计划在415万平方米(约126万坪)的厂址上建设4座Fab,首先第一座Fab将于明年3月开始施工,计划2027年5月之前竣工。决定在美国印第安纳州投资5.2万亿韩元(人民币约275.6亿元)建设的封装工厂的目标是2028年量产HBM。
输入 : 2024-05-03 10:02 | 更新 : 2024-05-03 10:56