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被指控窃取三星电子世界首创的半导体技术提供给中国企业的三星电子前员工们被集体移交审判。

23日，首尔中央地检情报技术犯罪调查部（部长金润龙）表示，已以违反《产业技术保护法》（国家核心技术泄露至国外）等嫌疑，对三星电子前高管A某等5人提起拘留起诉，并对5名研究员提起不拘留起诉。

检方表示，自2016年A某从三星电子转至中国半导体企业长鑫存储以来，察觉到三星电子的核心半导体技术可能被泄露至中国，于去年1月直接展开调查。B某为原三星电子研究员，涉嫌在2016年9月转至长鑫存储工作时，通过将三星电子的“10纳米级DRAM工艺信息”抄写在12张纸上泄密。

B某认为如果在电脑上复制文件或用手机拍摄，很容易被发现，因此他手动抄写了长达600多页的DRAM制造工艺和设备信息。这是三星电子在5年里投资约1万6000亿韩元（人民币约77亿元），在世界上首创开发的核心技术。

检方认为，他们成立了空壳公司，定期更换办公地点，同时共享“行动时要始终认为国家情报院就在身边”的指示等，有组织地进行了技术泄密。调查发现，他们还制定了自己的行动规则，例如，在禁止出国或被捕等危急情况下，要向同事发送“四个心形”的暗号等，以应对查处。

长鑫存储以这种窃取的技术为基础，于2023年成功在中国首个、全球第四个实现了10纳米级DRAM的量产。检方表示，这次泄密导致三星电子去年的预期销售额减少了5万亿韩元（人民币约240亿元），对整个国家经济造成的损失预计将达到几十万亿韩元。