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前三星电子部长因涉嫌向中国公司泄露核心芯片技术，1审被判处7年有期徒刑。

19日，首尔中央地方法院刑事合议25部（审判长：池贵然）对被控违反《产业技术保护法》等嫌疑的前三星电子部长金某做出有期徒刑7年，罚款2亿韩元（约合人民币101万元）的判决。合作企业员工方某被判处有期徒刑2年零6个月。而检察最初要求的量刑是金某有期徒刑20年，方某有期徒刑10年。

裁判部称：“金某等人的罪行严重阻碍了公平竞争，是不仅使研发芯片核心技术的受害公司的时间和成本付之东流，还可能对大韩民国国家产业竞争力造成重大负面影响的重大犯罪”，“受害公司的损失不容小觑，尤其三星电子的损失预计将达到天文数字。”

2024年1月，金某因涉嫌擅自泄露国家核心技术——三星电子18纳米DRAM芯片工艺情报，被中国企业CXMT（长鑫存储）应用于产品开发被移交审判。检方调查结果显示，金某2016年从三星电子离职，跳槽至当时还是新兴企业的CXMT，泄露了芯片“蒸镀”技术等8项核心技术。作为回报，金某被指收受了数百亿韩元的财物。方某则被指控与金某共谋，将芯片设备供应商A公司的设计技术资料移交CXMT。

韩国国家情报院发现两人泄露技术的情况后，于2023年5月委托检方进行调查，2024年1月，首尔中央地方检察厅对两人提起拘留起诉。