朝鲜日报 中文网

SK海力士3日表示，成功开发出了世界最高层数的238层NAND闪存芯片。NAND闪存是搭载于智能手机、PC等电子设备上的数据储存芯片，把数据储存空间像公寓一样堆叠成高层，被认为是衡量技术能力的一种尺度。此前，最高层数是美国美光公司上月开始生产的232层。

SK海力士当天在美国加利福尼亚州圣克拉拉开幕的“2022闪存峰会”上公开了新产品。参加活动主题演讲的SK海力士副社长崔正达（负责NAND开发）表示：“这次的238层芯片在成本、性能和质量方面拥有全球顶尖水平的竞争力。”

“世界最高层数，实现最小尺寸”

世界NAND市场排名第三的SK海力士于2020年12月开发出了176层NAND，时隔1年零8个月后又推出了新一代产品238层芯片。公司方面表示：“最近我们向顾客发送了样品，计划明年上半年开始批量生产。这次的238层NAND拥有最高层数，也是世界上最小的产品，与上一代产品（176层）相比，生产效率提升了34%。”

新产品是容量为512Gb的“TLC 4D NAND闪存”芯片。TLC（三级单元）意味着一个数据存储空间Cell里包含3个信息（比特）。在如同高层公寓一样堆叠起来的芯片里，Cell相当于一个房间的概念。和在一个房间里分别放入1个和2个数据的SLC（单级）、MLC（多级）产品相比，三级单元可以在相同的面积上储存更多数据。4D意味着实现了4维结构的芯片。SK海力士表示：“该产品的数据传输速度比上一代加快了50%，能源使用量降低了21%，具有节约电耗的效果。我们计划先供应到电脑储存装置SSD产品，接着还将推出智能手机和服务器用产品。”

后起之秀，展示技术能力

NAND闪存过去是单层住宅的形态，但随着技术的升级，变成了如同高层公寓一样的垂直高堆形态。但不能说堆叠出最高层数就具备了最高技术能力。其实，NAND闪存市场排名第一的三星电子去年下半年开始批量生产的176层是最好的。例如，建造300层公寓时，可能会有很多人购买，但住得是否舒适、价格是否太高、在市场上能否畅销等属于不同的问题。

NAND闪存制造的核心技术是为了连接层层堆叠成高层的电池而打通的微孔（hole），三星是业界唯一拥有一次性打通128层的“Single Stack”技术的企业。其他公司采用分两次打通后堆叠的“Double Stack”技术。美光的232层和SK海力士的238层芯片都使用了双堆栈技术。也就是说，三星在理论上可以制造出256层的双堆栈。三星也表示：“竞争力不是层数本身。虽然我们也具备制造200层以上芯片的技术能力，但我们考虑的是消费者的需求和市场情况等。”但随着竞争对手接连推出最高层数产品，业界有分析认为与三星的技术差距正在逐渐缩小。

目前，世界NAND闪存市场（一季度为准）排名第一的是三星电子（35.5%）。其后依次是日本铠侠（19%）、SK海力士（18.1%）、美国的西部数码（12.2%）和美光（11.3%）。