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有观察指出，排名全球第二的存储芯片企业SK海力士在中国江苏省无锡的DRAM工厂技术升级，可能由于美国的对华制裁而触礁。无锡工厂是占据SK海力士DRAM产量50%和全世界DRAM产量15%的核心设施。将尖端生产设施放在中国的韩国企业们可能成为美中科技战替罪羊的担忧正在扩大。

路透社18日报道称：“SK海力士制定了向无锡工厂运入生产尖端芯片的极紫外线光刻机（EUV）的计划，但可能由于美国的阻挠而泡汤。”路透社援引美国白宫方面人士等多位消息人士的话称：“拜登政府的关注焦点在阻止中国将美国和同盟国的技术用于开发作为中国军事现代化核心的尖端芯片方面。”将芯片回路刻在硅晶片上的设备EUV是生产新一代DRAM的核心设备，由荷兰公司ASML独家生产。目前，荷兰政府按美国的要求不批准向中国出口EUV设备。一些人担心，如果无锡工厂的设备升级因设备引进问题而遭遇障碍，SK海力士的竞争力不仅会被弱化，还可能引发全球芯片供应链的危机。

如果不能引进设备，将在竞争中落后

路透社表示：“美国政府并不认为SK海力士希望将尖端设备引进中国的努力和中国企业旨在引进设备的努力有什么不同。如果将设备放在中国，中国可能随时将其占为己有，化作中国的能力。”美国政府认为向中国境内引进尖端设备，本身就是对美国的威胁。

对此，SK海力士透露近期没有在无锡工厂安装EUV设备的计划。SK海力士方面人士说：“EUV工艺今年初处于能够量产DRAM的初期阶段。如果想在中国工厂也采用这一工艺，需要花费相当长的时间。”

但美中科技战很可能长期化这一点成为了绊脚石。如果SJ海力士在利川工厂测试最新型DRAM工艺后开始量产，通常在6个月到1年后无锡工厂会依次采用新工艺。虽然目前还不会，但在1-2年后，无锡工厂也必须采用EUV工艺。三星电子和美国美光科技已经开始攻击性地引进EUV工艺，在此情况下，如果无锡工厂不能引进EUV，SK海力士可能瞬间就在全球竞争中落后。目前在全球DRAM市场上，以今年三季度为准，SJ海力士的占有率继三星电子（44.0%）之后排名第二，但和排名第三的美光科技（22.9%）的差距并不大。最重要的是，三星电子和美光都没有在中国经营DRAM工厂。一位芯片行业人士说：“DRAM芯片的工艺越是超细微，用电效率和性能就越是会得到急速改善。因为需求会集中于技术稍微领先一点的企业，如果错过一次投资的时机，就很难赶得上了。”

跟随美国脚步的日本也进行威胁

有分析认为，随着美国对华制裁的强度日益提升，SJ海力士之外的韩国企业也可能被波及。三星电子在中国西安的工厂生产NAND闪存芯片。芯片行业的一位人士说：“NAND闪存芯片使用的设备比DRAM老式，所以不会受到美国对华制裁的影响。但几年后，NAND闪存芯片也不可避免地要引进EUV设备，美国可能甚至禁止将老式设备运入中国。”