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据悉，三星电子将在下一代NAND内存工艺中使用中国YMTC（长江存储科技）的专利。NAND是一种即使电源关闭也能存储信息的内存芯片，当前由三星电子和SK海力士等韩国企业占据一半以上的市场份额。但随着层数的升高，三星电子采用了被评价为下一代工艺后起之秀的中国企业的技术。

24日，据芯片业界称，三星电子与YMTC已就3D NAND的“混合键合”技术签订了授权合同。混合键合采取直接贴合两片晶圆的方式，晶圆与晶圆之间无需凸点连接。优点是降低整体高度的同时，提高数据处理速度。目前的NAND技术最多可堆叠300层，但已经逐渐接近极限。NAND层数越高，制造出的芯片容量越高。业界推测，主要企业在超过400层的下一代NAND上会采用混合键合技术。

YMTC是较早申请混合键合技术专利，并率先应用于NAND工艺的企业。而韩国企业使用中企专利是极为罕见的情况。据TrendForce称，以2024年3季度为基准，三星电子在全球NAND市场占有率为35.2%，位居第一。SK海力士（20.6%）、铠侠（15.1%）、美光（美国，14.2%）紧随其后。目前，SK海力士量产的NAND为321层，三星电子为286层。YMTC虽尚未在整体市场占有率上显山露水，但最近已开始量产294层NAND，在技术方面正迅速追赶上韩国企业。

业界认为，三星电子为避免未来与YMTC发生专利纠纷，互换了专利使用权。也就是说，三星电子与YMTC相互授予对方使用可能侵犯对方专利的技术。2024年，YMTC曾向美国法院提起诉讼，指控美光侵犯本公司的NAND专利。对此，芯片业界人士表示：“存在这种即使日后不用仍会互换专利使用权的情况，目的是为了避免不必要的专利纠纷。”