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美国存储器芯片企业美光宣布，在世界上首个实现了批量生产14纳米（10亿分之1米）DRAM，这是比三星电子正在生产的15纳米DRAM更先进的产品。去年11月，美光全球首个宣布批量生产176层NAND，震惊了芯片业界。三星电子在存储器芯片的两大领域DRAM和NAND的最尖端竞争中都开始落后。韩国近20年来一直保持的存储器世界最强国地位，正在受到芯片宗主国美国的威胁。

1994年三星电子在世界上率先开发出256M DRAM后，韩国在存储器芯片领域一直处于世界最先和最高集成度开发的领头羊地位。1996年1G DRAM、2001年1G 闪存、2007年64G DRAM、2019年128层NAND等，三星电子一直率先实现存储器容量每年翻一番的“皇帝法则”。结果，三星电子的DRAM和NAND分别拥有70%和45%的世界市场占有率，以压倒性的优势排名第一。与代工领域委托生产订单型芯片的台湾TSMC一道构建起芯片供应链的两强体制。

但人工智能、自动驾驶、5G等第四次产业革命的到来以及美国的“芯片同盟”战略，开始从根本上动摇芯片产业的格局。由于认为今后订单型芯片的需求将比通用芯片更大，因此2年前三星电子也发表了投资133万亿韩元（人民币约7650亿元）的10年计划，但未能取得明显成果。相反，台湾TSMC的支配能力正在进一步得到巩固。在去年增长了25%的世界代工市场上，TSMC的占有率飙升至54%，刷新了历史最高纪录，而三星电子则以17%的占有率原地踏步，差距进一步拉大。

加上美光发起强有力的挑战，让三星电子在存储器领域也面临威胁。三星DRAM的占有率从2016年的47%降至2020年的42%，而美光公司的占有率则从23%上升到了26%。今年一季度三星电子芯片业务的营业利润率为18%，被美光（20%）反超。得益于美国政府的大力支持，美光在存储器市场的支配能力很可能进一步扩大。

此外，TSMC发布了在美国增设6家芯片工厂的计划，正在积极推动拜登政府的芯片同盟战略。相反，三星电子在美国国内还没有确定建厂计划，正在浪费时间。就连30年前被韩国夺走芯片霸权的日本也在携手台湾TSMC，梦想实现复活。在这种全方位的危机状况之下，三星的总舵手被关进了监狱。三星电子副会长李在镕的空白正在拖延芯片战略的制定和投资决定，这是俨然的现实。他应该去世界各地指挥打芯片战，束缚他的手脚无异于危害国家利益的自残。