但至少有SK海力士向英伟达独家供应HBM,给K半导体长了面子,不久前美光宣布跳过第四代,成功量产第五代HBM3E,这也威胁到了韩国半导体。世界第一大存储芯片企业三星电子在HBM方面排名第三。
三星电子上月表示,在世界上首个成功开发出12层堆叠HBM3E,但市场反应冷淡。最近5天,外国投资者抛售了965万股三星电子股票。因为批量生产的可能性、生产效率和给英伟达供货的可能性得分很低。
三星电子自豪地说自己是2022年3月世界上第一个开发出3纳米半导体、开拓代工市场的游戏改变者,但三星的代工市场份额反而从2021年的18%下降到了2023年的11%。竞争者带来的挑战也越来越大。美国英特尔宣布“超越三星”,说:“从2027年开始量产1.4纳米工程,到2030年要成为世界第二大代工企业。”被韩国夺走存储芯片霸权的日本与台积电、英特尔携手建设通用存储芯片和2纳米级系统芯片工厂。日本政府支持的台湾台积电熊本工厂,展示了开工1年零10个月后就竣工的加工速度。
相反,韩国在半导体技术竞争中丧失了“超差距”的竞争力,在构建新一代生产线的速度战方面也落后于竞争国家。SK海力士的龙仁半导体集群2019年提交了投资意向书,但因为土地补偿、用水供应等问题被推迟,现在才拿到用地,明年3月第一期工厂将开工建设。三星电子的平泽工厂也因输电塔问题浪费了5年。竞争对手国家的民官在展开国家层面的全力奋战,韩国要如何在竞争中胜出?